Transistors > MOSFETs > Power MOSFETs, SMD

Code Variant Description Manufacturer U.M. Stock Min. order Delivery (days) Price
wihout VAT
Q.ty
IRF7205PBF-GURT   P-Ch 30V 4,6A 2,5W 0,07R SO8   Buc     1,6295 RON
Characteristic
IRF7240PBF-GURT   P-Ch 40V 10,5A 2,5W 0,015R SO8   Buc     4,6270 RON
Characteristic
IRF7303PBF-GURT   2xN-Ch 30V 4,9A 2,0W 0,05R SO8   Buc     2,0045 RON
Characteristic
IRF7306PBF-GURT   2xP-Ch 30V 3,6A 2,0W 0,1R SO8   Buc     2,4671 RON
Characteristic
IRF7309PBF-GURT   N+P-Ch 30V 4/3A 1,4W SO8   Buc     2,1048 RON
Characteristic
IRF7313PBF-GURT   2xN-Ch 30V 6,5A 2,0W 0,029R SO8   Buc     2,2175 RON
Characteristic
IRF7316PBF-GURT   2xSMD Power Transistor, MOSFET, with P-Channel, 30V, 4,9A, 2,0W, 0,058R. Case: SO8.   International Rectifier (IR) Buc 1 7
1+ 2,8482 RON
5+ 2,6808 RON
20+ 2,5131 RON
Characteristic TipT57:Tranzistoare de putere MOSFET | Stil prezentare:Bandă | Serie:IRF | Capsula:SO8
Producător:International Rectifier (IR) | Curent de colector continuu, maxim, IC: | Timp de comutare direct (la deschidere), td(ON):13ns | Timp de comutare invers (la blocare), td(OFF):34ns
Tensiune colector-emitor maximă, cu baza deschisă, VCEO: | Frecvenţa de tranziţie, fT: | Factor de amplificare, de curent continuu, hFE: | Tensiune de străpungere colector-emitor, maximă, VCES:
Curent de colector în impulsuri, maxim, ICpuls : | Tensiune de prag grilă (poartă)-emitor, minimă, VGE(th): | Tensiune drenă-sursă, maximă, VDS:30V | Curent de drenă continuu, maxim, ID:4,9A
Rezistenţă maximă drenă-sursă, în regim de conducţie, RDS(ON):0,058Ω | Tensiune de prag grilă (poartă)-sursă, minimă, VGS(th):1,0V | Putere maximă disipată, Ptot: |
IRF7319PBF-GURT   N+P-Ch 30V 6,5/4,9A 2,0W SO8   Buc     2,5344 RON
Characteristic
IRF7324PBF-GURT   2xP-Ch 20V 9A 2,0W 0,018R SO8   Buc     4,3259 RON
Characteristic
IRF7341PBF-GURT   2xSMD Power Transistor, MOSFET, with N-Channel, 55V, 4,7A, 2,0W, 0,05R. Case: SO8.   International Rectifier (IR) Buc
25
1 7
1+ 1,7105 RON
5+ 1,6099 RON
20+ 1,5092 RON
Characteristic TipT57:Tranzistoare de putere MOSFET | Stil prezentare:Bandă | Serie:IRF | Capsula:SO8
Producător:International Rectifier (IR) | Curent de colector continuu, maxim, IC: | Timp de comutare direct (la deschidere), td(ON):8,3ns | Timp de comutare invers (la blocare), td(OFF):32ns
Tensiune colector-emitor maximă, cu baza deschisă, VCEO: | Frecvenţa de tranziţie, fT: | Factor de amplificare, de curent continuu, hFE: | Tensiune de străpungere colector-emitor, maximă, VCES:
Curent de colector în impulsuri, maxim, ICpuls : | Tensiune de prag grilă (poartă)-emitor, minimă, VGE(th): | Tensiune drenă-sursă, maximă, VDS:55V | Curent de drenă continuu, maxim, ID:4,7A
Rezistenţă maximă drenă-sursă, în regim de conducţie, RDS(ON):0,050Ω | Tensiune de prag grilă (poartă)-sursă, minimă, VGS(th):1,0V | Putere maximă disipată, Ptot: |
« Previous page  567891011121314
205 products
Next page »